IT之家 5 月 6 日消息，据台媒《经济日报》今日报道，台积电 (TSMC) 已启动其位于中部科学工业园区的 Fab15A 晶圆厂升级计划。该厂当前的主要工艺为 28/22nm 成熟制程， 初步将升级至 4nm ，以满足 AI / HPC 芯片的持续需求。 Fab15A 现有的成熟制程设备预计将迁移至台积电与欧洲合作伙伴共同建设的 ESMC 德国德累斯顿晶圆厂。ESMC 的主要工艺就包括 28/22nm 平面 CMOS（以及 16/12nm FinFET），计划 2027 年开始初步生产。 从 28/22nm 升级到 4nm 不仅要更换设备也需对无尘室进行调整改造。业内人士预计 Fab15A 工艺升级总共开支将超过 1000 亿新台币 （IT之家注：现汇率约合 216.5 亿元人民币）。 台积电在中部科学工业园区还设有以 7nm 为主的 Fab15B 晶圆厂，而面向尖端制程的 A14 新厂也在建设之中。
5 月 6 日，据彭博社报道，三星电子市值在周三达到 1 万亿美元。此前，由于 AI 芯片需求激增，这家全球最大存储芯片制造商的股价在过去一年中上涨了逾三倍。 图 1：三星 三星股价在周三早盘大涨 11%，使其成为继台积电之后第二家达到 1 万亿美元市值的亚洲企业。此次上涨也推动韩国综合股价指数突破 7000 点大关。 图 2：三星市值站上 1 万亿美元 三星与存储芯片同行 SK 海力士以及台积电正处于一场深刻变革的核心。这场变革将亚洲在芯片制造的主导地位与不断扩展的数据基础设施相结合，使亚洲成为全球 AI 生态系统的基石，推动了该地区科技股的强劲上涨。SK 海力士和台积电本月也双双创下历史新高，原因是投资者押注市场对先进芯片和算力的需求将持续。 彭博社在周二报道称，苹果公司正与三星、英特尔展开试探性讨论，考虑让这两家公司为其设备生产主处理器，此举将为苹果在长期合作伙伴台积电之外提供一个替代选择。 相关阅读： 《 台积电跃居全球第七大公司：市值达 1.8 万亿美元，超越 Meta、沙特阿美 》
IT之家 5 月 4 日消息，据中国台湾地区媒体“联合新闻网”今天报道，目前有传闻称台积电将重返龙潭，建设次世代埃米级晶圆厂， 投资额达 6000 亿新台币（IT之家注：现汇率约合 1299 亿元人民币） 。 据报道，若消息属实，无尘室机电厂商汉唐（UIS）、半导体厂商帆宣（MIC）将从本次扩建中受惠。前者已与台积电合作多年，除了深入参与 2nm 厂房建设外，还投入 CoWoS 先进封装厂建造。 同时，业界普遍看好台积电重启龙潭晶圆厂建设，埃米级制程更加精密，可推动无尘室相关建设需求，助力汉唐基本面持续升温。
IT之家 5 月 1 日消息，广发证券分析师蒲得宇（Jeff Pu）昨日（4 月 30 日）在 X 平台发布研报，指出英特尔代工业务取得关键突破， 其 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术良率达 90%，证明该技术已为 AI 数据中心芯片做好准备。 IT之家注：EMIB 是英特尔推出的 2.5D 先进封装技术，通过在基板中嵌入硅桥，实现多个裸片间的高带宽互连，提供比传统封装更低的功耗和成本，是目前挑战台积电 CoWoS 技术的核心方案。 蒲得宇指出最新数据显示，EMIB 良率已与 FCBGA（倒装芯片球栅阵列）相当，但提供了更高的裸片间互连密度。 技术层面，当前存在 EMIB-M 与 EMIB-T 两个关键版本。EMIB-M 专为能效设计，在硅桥中集成了 MIM（金属-绝缘体-金属）电容器，通过降低噪声增强供电完整性，电力需绕过桥接路由。而 EMIB-T 专为高性能 AI 芯片打造，集成了 TSV，允许电力直接穿过桥接路由，大幅提升扩展密度。 在扩展性方面，EMIB-T 当前已支持 > 8xReticle 尺寸，在 120x120 封装内容纳 12 个 HBM 芯片、4 个密集小芯片及超过 20 个 EMIB-T 连接。展望 2028 年，英特尔计划将 EMIB-T 扩展至 > 12xReticle 尺寸，在 > 120x180 封装内容纳超过 24 个 HBM 裸片和 38 个以上 EMIB-T 桥接。
IT之家 4 月 30 日消息，在北美技术研讨会上，台积电更新公布 SoIC 3D 堆叠技术路线图，明确了未来几年的技术演进方向。 台积电计划缩小现有的 6μm 互连间距，目标到 2029 年缩小至 4.5μm。 IT之家注：SoIC 全称 System on Integrated Chips，是台积电开发的 3D IC 封装技术，通过垂直堆叠多个芯片实现高性能、高密度的集成。 相比传统封装，SoIC 利用混合键合技术实现芯片间的直接互连，大幅缩短信号路径，降低功耗与延迟，适用于高性能计算与 AI 芯片。 在技术路径上，SoIC 主要分为 Face-to-Back（F2B，背对背）和 Face-to-Face（F2F，面对面）两种堆叠方式。F2B 堆叠受限于物理结构，信号必须穿过底部的硅通孔（TSV）和多层金属，不仅增加延迟和功耗，还限制了互连密度。 数据显示，F2B 设计的信号密度仅为 1500 个 / mm²。相比之下，F2F 堆叠通过混合铜键合技术直接连接两块芯片的金属层，无需使用 TSV，信号密度大幅提升至 14000 个 / mm²，让芯片间的通信性能接近片内互连水平。 从纯粹的互连间距来看，台积电在 2023 年实现了相当精细的 9µm 间距，足以支持 AMD Instinct MI300 系列等产品，但第一代 SoIC 仅支持 F2B 设计。台积电在 2025 年把互连间距缩短到 6μm，并预估到 2029 年间距将缩小至 4.5µm。 以上图源：台积电 富士通的 Monaka 处理器是该技术的首个重量级应用。这款面向数据中心的 CPU 拥有 144 个 Armv9 核心，其计算模块采用台积电 N2 工艺制造，并通过 F2F 方式堆叠在 N5 工艺的 SRAM 芯片之上。
IT之家 4 月 29 日消息，台积电 (TSMC) 今日代子公司 TSMC Partners 发布公告，以 207.65 美元的每股价格出售 1110784 股 Arm 股票，这意味 该企业清空了对 Arm 的全部持股 。 Arm 在 2023 年进行了 IPO，台积电当时作为投资者以每股 51 美元的价格取得了 1960784 股的 Arm 股票，总投资额约为 1 亿美元，对 Arm 持股比例约为 0.2%。此后台积电于 2024 年出售了 85 万股，获得 1.02 亿美元，成功收回投资。 ▲ 图源：台积电 总的来看， 台积电从对 Arm 的投资中取得约 2.322 亿美元 （IT之家注：现汇率约合 15.9 亿元人民币） 的净收益 。台积电表示这次处分股权为台积电基于财务投资规划策略，所作出的投资标的调整。
IT之家 4 月 28 日消息，台积电 (TSMC) 在上周举行的 2026 年北美技术论坛上表示，该企业今年有五座 2nm 级 N2 制程工艺晶圆厂在同时产能爬坡，即新竹 Fab20 的 1~2 阶段和高雄 Fab22 的 1~3 阶段。 台积电预计 N2 节点首年晶圆产能将较 N3 首年提升 45%， N2 / A16 系列工艺在 2026~2028 年的产能年化增长率将达 70% 。 与此同时，台积电也在持续积极扩充更为主流的 N3/N5 节点产能，从 2022 到 2027 年的合计产能 CAGR（IT之家注：复合年化增长率）达到 25%；此外，台积电的 CoWoS 产能在 2022~2027 年期间的 CAGR 超 80%，SoIC 更是超 90%。 ▲ 图源：台积电 在全球产能布局方面，台积电在美的 TSMC Arizona (Fab21) 第二晶圆厂计划 2026H2 搬入设备，第一晶圆厂今年晶圆产出将达 2025 年的 1.8 倍；而在日 JASM (Fab23) 第一晶圆厂的晶圆产出将是去年的 2.3 倍。 台积电今年将进行 5 座晶圆厂和 4 座先进封装厂的产能扩张 ，合计数量持平去年，是 2017~2023 年水平的 2 倍以上。
IT之家 4 月 27 日消息，据 TrendForce 今天报道，台积电正加速扩张先进制程产能。其中 3nm 工艺月产能将由原本的 15 万片提升至 18 万片， 同比增长超 40% 。 台积电在财报电话会议中提到，为满足 AI 应用强劲需求，公司正增加资本投入以扩展 3nm 产能。 其中台南科学园区 3nm 工厂预计明年上半年进入量产阶段 ；美国亚利桑那第二工厂已完成建设，预计明年下半年开始量产 3nm 晶圆；而熊本第二工厂也将包含 3nm 制程，预计 2028 年量产。 IT之家从报道中了解到，3nm 工艺的主要需求来自 AI 硬件，英伟达、AMD 和汽车厂商的强劲需求正在迅速消耗台积电产能。尽管生产目标已经达成，但可用产能仍不足以满足市场需求。 此外，台积电已于去年年底启动 2nm 量产工作，月产能将在今年年底达到 10 万片。
IT之家 4 月 27 日消息，集成电路 IP 开发商 M31 円星科技本月 23 日宣布， 其 eUSB2V2 接口 IP 已于台积电 N2P 制程工艺完成流片 。该 IP 针对 N2P 平台特性进行设计、电路、布局多层级协同优化，以提升整体性能与能效，兼顾面积利用率与系统整合弹性。 eUSB2V2 在与既有 USB 2.0 生态兼容的同时支持 1.2V / 0.9V 低电压操作，最高可支持 4.8Gbps 的传输速率。其搭配 N2P 工艺， 预期在标准操作模式下功耗低至 50mW ，适合 AI、HPC、移动设备等追求高性能与低功耗平衡的应用。 M31 总经理张原熏表示： 2nm 接口 IP 需贴合工艺平台，方能提升设计效率，并加速上市时程。M31 此次完成 eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工艺的流片，正是以平台导向为核心，协助客户更有效率地导入关键接口、缩短从设计推进到量产准备的时间，并强化 2nm 节点的整体竞争力。
IT之家 4 月 27 日消息，台积电今日股价大涨，市值先后超越 Meta 与沙特阿美，以约 1.8 万亿美元（现汇率约合 12.31 万亿元人民币） 跃居全球第七 ，截至发文，台积电股价回落至 402.46 美元左右。 目前市值前十的公司： 英伟达 谷歌（Alphabet） 苹果 微软 亚马逊 博通 台积电 沙特阿美 Meta 特斯拉 据IT之家此前报道， 台积电 2026 年第一季度财报 数据显示： 2026 年第一季度合并营收约 11341 亿元新台币（IT之家注：现汇率约合 2446.25 亿元人民币）， 同比增长 35.1%，环比增长 8.4% ； 2026 年第一季度净利润 5725 亿元新台币（现汇率约合 1234.88 亿元人民币），预估 5423.8 亿元台币， 同比增长 58.3%，环比增长 13.2% ； 台积电 2026 年第一季度毛利率 66.2％，预估 64.5％； 台积电 2026 第一季度高性能计算收入环比增长 20%。
4 月 27 日，据彭博社报道，中国台湾地区法院周一裁定，台积电前工程师陈力铭因窃取台积电专有数据被判 10 年有期徒刑。 据台媒报道，中国台湾地区知识产权和商业法院周一对台积电“内鬼案”作出一审判决，案件涉及四名台积电前员工、现职员工，以及日本东京威力科创公司和该公司的一名女主管。 主犯、台积电前工程师陈力铭被判处 10 年有期徒刑；共犯吴秉骏、弋一平、陈韦杰分别被判 3 年、2 年、6 年有期徒刑。东京威力科创女主管卢怡尹被判 10 个月有期徒刑，缓刑 3 年。东京威力科创公司被判处罚金 1.5 亿元新台币。本案可上诉。 台媒称，曾任台积电 12 厂良率部门的陈力铭，离职后入职台积电半导体设备供应商东京威力科创的市场营销部门。自 2023 年中旬起，他利用在台积电工作期间与同事建立的情谊，联系吴秉骏、弋一平及一名廖姓男子，在餐厅或家中，要求他们协助远程登入台积电数据库，再通过手机翻拍屏幕，获取了十多张涉及关键核心技术的营业秘密文件。 此外，陈力铭还涉嫌联络陈韦杰，协助提供涉及“14 纳米以下制程的 IC 制造技术及其关键气体、化学品及设备技术”等营业秘密资料。 截至发稿，东京威力科创发言人尚未就此置评。
IT之家 4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 在当地时间 22 日的 2026 年北美技术论坛上宣布，14 倍光罩尺寸的 CoWoS 2.5D 异构集成技术预计于 2028 年开始生产，2029 年则将推出更大规模的版本。 台积电目前正在生产 5.5 倍光罩尺寸的 CoWoS，而 14 倍光罩尺寸的 CoWoS 能够整合约 10 个大型计算裸片和 20 个 HBM 内存堆栈 。台积电还计划于 2029 年推出 40 倍光罩尺寸 SoW-X 系统级晶圆先进封装。 在 SoIC 3D 芯片堆叠方面，台积电表示 A14-to-A14 的 SoIC 预计于 2029 年生产，其 D2D I/O 密度是 N2-to-N2 SoIC 的 1.8 倍，支持更高数据传输带宽。而采用 COUPE 在基板上的真 · CPO 解决方案预计于 2026 年开始生产，相较 PCB 级可插拔解决方案可提供 2 倍的能效并减少 90% 延迟。 此外据路透社报道，台积电资深副总经理、副联席首席运营官张晓强昨日在活动上表示， 台积电美国分支 TSMC Arizona 已启动首座先进封装设施的施工 。他还称： 我们正积极扩展自身在亚利桑那厂区内的能力。我们计划在 2029 年前于当地建立 CoWoS 与 3D-IC 能力，这依然是我们的目标。
IT之家 4 月 23 日消息，据台媒经济日报今日消息，台积电副共同营运长张晓强在 2026 年北美技术论坛上公开表示，该公司目前没有采用 ASML 阿斯麦最新高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）的计划， 这类设备单台价格超过 3.5 亿欧元 （IT之家注：现汇率约合 28.04 亿元人民币）。 张晓强同时宣布， 台积电最先进的 A13 芯片将于 2029 年投入生产 。“ 我们仍然能够从现有 EUV 设备中获益 。”张晓强补充称，下一代 High-NA EUV 设备“ 非常非常贵 ”。 台积电是 ASML 最大的客户，而 ASML 原本预期新设备将于 2027 年和 2028 年实现量产，并将 2030 年的营收目标定在 600 亿欧元（现汇率约合 4807.21 亿元人民币）。 台积电 2026 年第一季度财报 显示，该公司合并营收约 11341 亿元新台币（现汇率约合 2461 亿元人民币）， 同比增长 35.1% ；净利润 5725 亿元新台币（现汇率约合 1242.33 亿元人民币）， 同比增长 58.3% 。
IT之家 4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。 A13 是对 A14 的直接光学收缩，在设计规则与 A14 完全向后兼容的同时节省了 6% 的面积。此外其通过设计与技术协同优化，提供了额外的能效及性能提升。 而 A12 是台积电在 A16 后的新一代的超级电轨 (Super Power Rail) 背面供电工艺，面向 AI / HPC 应用场景。 ▲ 图源：台积电 台积电还宣布了 2nm 平台的演进版本 N2U ，其速度较 N2P 提升 3-4% 或功耗降低 8-10% ，逻辑密度提升 2-3%，预计于 2028 年开始生产。一并推出的还有首款采用 GAA 的车用制程技术 N2A ，其在相同功耗下速度较今年投产的 N3A 提升 15-20%，预计于 2028 年完成 AEC-Q100 验证。 在相对成熟的逻辑工艺方面，台积电今年将率先将高压技术引入 FinFET 晶体管技术，带来面向 DDIC 的 N16HV 制程技术。这项工艺相较 N28HV 栅极密度增加 41%，功耗降低 35%。
IT之家 4 月 20 日消息，台媒《电子时报》在本月 17 日的报道中提到，台积电 (TSMC) 的 CoPoS 先进封装目前最快预计 2030 年末量产，相较普遍预计显著延后。 CoPoS 以面板 (Panel) 取代 CoWoS 中的晶圆 (Wafer)，这可实现更大的封装面积，提升生产效率、降低制造成本，然而 也面临着均匀与翘曲等亟待解决的问题 。 IT之家附上报道整理的台积电 CoPoS 时间线：2026Q3 启动研发 → 2027Q3 下达中试线设备订单 → 2028Q2 中试线设备导入 → 2029Q3 下达量产设备订单 → 2030Q1 量产线设备导入 → 2030Q4 首批量产品完工。 此外，报道还指出台积电将在 2027 年显著提升 SoIC 先进封装工艺的产能， 从月均 1 万片迅速提升到月均 5 万片 ，应对英伟达的大额需求，这其中一成将用于光电合封（也称共封装光学，即 CPO）。
IT之家 4 月 18 日消息，今天上午，马斯克在 X 平台发文表示，SpaceX 和特斯拉将始终是台积电的重要客户，而不是通常意义上的竞争对手。但台积电 无法生产所需“惊人数量”的芯片 ，如果台积电能够做到的话，就无需“TeraFab”芯片工厂项目了。 马斯克是在评论一则帖子时作出的评论的。这则帖子提到了台积电 CEO 魏哲家在财报电话会议上的表态。IT之家附上大意如下： 嗯，实际上，英特尔和特斯拉都是台积电的客户。再说一次，他们也是我们的竞争对手，我们视英特尔为强大的竞争对手，绝不低估他们。 话虽如此，但没有捷径可走。代工游戏的根本规则从未改变。他们需要技术领先、卓越制造和客户信任，最重要的是，需要黄仁勋提到的服务。 我再说一遍，建造一座新晶圆厂需要 2-3 年。没有捷径。再需要 1-2 年才能提升产能。这又是代工行业的一个基本常识。 今年 3 月，马斯克宣布，SpaceX 与特斯拉将联合推进“Terafab”项目。Terafab 计划采用 2nm 制程工艺，将逻辑芯片、存储芯片及先进封装整合在同一园区内，年产量目标约为 1000 亿至 2000 亿颗芯片。 相关阅读： 《 马斯克下狠命令：供应商要以“光速”推进 TeraFab 晶圆厂项目 》 《 英特尔加入 Terafab 计划，与特斯拉、SpaceX、xAI 携手变革芯片制造 》 《 马斯克宣布有史以来最大芯片制造工厂 TeraFab：首期落地奥斯汀，目标年产超 1 太瓦算力芯片 》
IT之家 4 月 17 日消息，据中国台湾地区媒体《电子时报》今天报道，台积电最近召开 2026 年第一季度财报法人说明会，介绍 1nm 及以下先进制程工艺规划情况。 据报道，台积电正在台南科学园区规划 A10 晶圆厂，其中 P1-P4 用于开发 1nm 及以下先进制程， 2029 年起试产 ，初期月产能预计可达 5000 片晶圆。 同时，台积电将在新竹宝山 P1-P2 工厂发展 2nm 制程，P3 工厂则以 2nm、A14 为主，预计今年年中完工。目前公司的“One Team”团队将逐步进驻，P4 厂仍在规划中。 美国亚利桑那 F21 晶圆厂方面，P1 工厂将应用 4nm 制程，月产能约 2-2.5 万片晶圆。P2 厂则是 3nm，第三季度引入设备；P3-P5 工厂分别规划 2nm、A16（1.6 纳米）、A14（IT之家注：1.4 纳米）工艺，近期已经动工。
IT之家 4 月 17 日消息，台积电 (TSMC) 董事长兼总裁魏哲家昨日在 2026Q1 发说会上罕见地对具体产品发表评论，表示“ 我们（台积电）正在与我们的客户合作开发他们的下一代 LPU ”。 NVIDIA（英伟达）今年三月在 GTC 2026 大会上发布了 Groq 3 (LP30) LPU，这款芯片由三星晶圆代工制造，基于其的 Groq 3 LPX 机架预计将在今年下半年面世。 而根据 NVIDIA 的路线图，该企业计划在 Rubin 世代晚些时候推出支持 NVFP4 数据格式的 LP35 LPU，Feyman 世代的 LP40 LPU 则将支持 NVLink 高速互联。 IT之家注意到，台积电高管昨日还提到预计全年营收按美元计增长超 30%、3nm 毛利率 2026H2 达到平均水平、2026 年资本支出将位于 520~560 亿美元区间的高位、未来三年的年资本支出将显著高于过去几年、A14 将于 2028 年量产。
IT之家 4 月 17 日消息，台积电 (TSMC) 昨日举行了 2026Q1 财务报告法人说明会，董事长兼总裁魏哲家会上表示台积电在 3nm 制程工艺上打破了历史惯例， 在达到预设目标后仍积极投资新产能 ，以满足客户的需求。 台积电正在台南南科园区新增 1 座 3nm 晶圆厂，预计 2027H1 量产；美国 TSMC Arizona Fab 2 预计 2027H2 量产；日本 JASM Fab 2 则将在 2028 年量产。台积电还持续将台南的既有 5nm 产线升级至 3nm，并通过运营效率的提升从所有 3nm 产线中“榨取”更多产能。 魏哲家同时强调， 虽然产能紧张 ， 但台积电不会对客户厚此薄彼 。
IT之家 4 月 17 日消息，集邦咨询（Trendforce）昨日（4 月 16 日）发布博文，报道称在财报电话会议上，台积电回应和英特尔 EMIB 封装方案的竞争挑战， 董事长魏哲家表示凭借其最大光罩尺寸封装方案与 SoIC 技术，有信心为客户提供最优选择。 在当前封装策略上，台积电明确 CoWoS 仍是主力方案。IT之家援引博文介绍，CoWoS 月产能将在 2026 年底达到 11.5 万至 14 万片晶圆， 并于 2027 年进一步攀升至约 17 万片。 台积电为满足 AI 芯片对先进封装的爆发式需求， 目前在台南和嘉义积极扩产。 展望下一代技术，魏哲家透露公司正积极推进 CoPoS 面板级封装研发。供应链消息显示，CoPoS 试点线已于今年 2 月完成主要设备安装，预计 6 月完成全线搭建。市场预期该技术最早将于 2028 至 2029 年量产，随后几年逐步扩大应用规模。 技术优势方面，CoPoS 采用面板级工艺，突破传统封装尺寸限制，提升单位面积产出效率，并降低整体封装成本。这一特性对 AI ASIC 和 GPU 等大芯片应用极具吸引力，有望成为台积电在超大规模芯片封装领域的关键武器。 与 Intel EMIB 技术相比，台积电的 CoWoS 已在 AI 加速器市场建立深厚生态，NVIDIA H100、A100 等主力产品均采用该方案。而 CoPoS 应对未来 AI 芯片对更高带宽和更大集成规模的需求，将进一步强化台积电在超大尺寸封装上的竞争力。